Microelectronic device structure and manufacturing method thereof

WO2011075955 Art A1 30. Juni 2011

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011075955
Aktenzeichen: EP10838521
Anmeldetag: 24. Dezember 2010
Veröffentlichung: 30. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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