Semiconductor device with multilayer contact and method of manufacturing the same

WO2011077181 Art A1 30. Juni 2011

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011077181
Aktenzeichen: EP09799735
Anmeldetag: 21. Dezember 2009
Veröffentlichung: 30. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L29/06H01L29/417H01L29/732

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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