Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing semiconductor device

WO2011078083 Art A1 30. Juni 2011

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011078083
Aktenzeichen: EP10839313
Anmeldetag: 17. Dezember 2010
Veröffentlichung: 30. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027G03F7/38G03F7/40H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von