Sic Field Effect Transistor

WO2011078346 Art A1 30. Juni 2011

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011078346
Aktenzeichen: EP10839575
Anmeldetag: 24. Dezember 2010
Veröffentlichung: 30. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12H01L21/336H01L27/04H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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