Method for forming crystalline cobalt silicide film

WO2011078399 Art A1 30. Juni 2011

Anmelder: Japan Science and Technology Agency, JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011078399
Aktenzeichen: EP10839623
Anmeldetag: 22. Dezember 2010
Veröffentlichung: 30. Juni 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/288

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Japan Science and Technology Agency
JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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