Adjustable Mos Resistor

WO2011080536 Art A1 7. Juli 2011

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011080536
Aktenzeichen: EP09806045
Anmeldetag: 28. Dezember 2009
Veröffentlichung: 7. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H03H11/24

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.989 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von