Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011081041
Art A1
7. Juli 2011
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011081041
- Aktenzeichen
- EP10840899
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 7. Juli 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G09G3/36G02F1/133G02F1/1335G02F1/13357G02F1/1368G09G3/20G09G3/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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