Resistance change memory device, and manufacturing method and driving method for same

WO2011081309 Art A2 7. Juli 2011

Anmelder: Gwangju Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011081309
Aktenzeichen: EP10841141
Anmeldetag: 3. Dezember 2010
Veröffentlichung: 7. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Gwangju Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Gwangju Institute of Science and Technology

Das Gwangju Institute of Science and Technology ist eine staatliche technische Hochschule in Südkorea mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt durch Mess- und Prüftechnik sowie organische Chemie. Anmeldungen reichen von 2004 bis in die Gegenwart.

485 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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