Techniques for generating uniform ion beam

WO2011081927 Art A1 7. Juli 2011

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011081927
Aktenzeichen: EP10796547
Anmeldetag: 14. Dezember 2010
Veröffentlichung: 7. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/08H01J37/317H01J27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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