Semiconductor device with p-n junction

WO2011082633 Art A1 14. Juli 2011

Anmelder: BYD Company Limited, Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011082633
Aktenzeichen: EP10841976
Anmeldetag: 24. Dezember 2010
Veröffentlichung: 14. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/36H01L29/861H01L21/761H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BYD Company Limited
Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BYD

Chinesischer Konzern für Elektromobilität und Batterietechnik mit Sitz in Shenzhen. BYD entwickelt Elektro- und Hybridfahrzeuge, Akkumulatoren sowie Elektronik- und Halbleiterkomponenten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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