Memory cell and method for manufacturing memory cell

WO2011083632 Art A1 14. Juli 2011

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011083632
Aktenzeichen: EP10842147
Anmeldetag: 18. November 2010
Veröffentlichung: 14. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105H01L27/10H01L29/06H01L29/786H01L45/00H01L49/00H01L51/05H01L51/30H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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