Cu-ga sputtering target, method for manufacturing the target, light absorbing layer, and solar cell using the light absorbing layer

WO2011083647 Art A1 14. Juli 2011

Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011083647
Aktenzeichen: EP10841816
Anmeldetag: 3. Dezember 2010
Veröffentlichung: 14. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JX Nippon Mining & Metals Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JX Nippon Mining & Metals

JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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