Method of making a semiconductor structure useful in making a split gate non-volatile memory cell

WO2011084915 Art A2 14. Juli 2011

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011084915
Aktenzeichen: EP11732027
Anmeldetag: 3. Januar 2011
Veröffentlichung: 14. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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