Composition for production of photosensitive resist underlayer film, and method for formation of resist pattern
WO2011086757
Art A1
21. Juli 2011
Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011086757
- Aktenzeichen
- EP10843112
- Anmeldetag
- 16. November 2010
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/039G03F7/095
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nissan Chemical Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nissan Chemical Corporation
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.
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