Device for single-crystal growth and method of single-crystal growth

WO2011086851 Art A1 21. Juli 2011

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, CRYSTAL SYSTEMS CORPORATION, Miyachi Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011086851
Aktenzeichen: EP10843203
Anmeldetag: 28. Dezember 2010
Veröffentlichung: 21. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C30B13/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
CRYSTAL SYSTEMS CORPORATION
Miyachi Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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