Phosphorous-containing copper anode for electrolytic copper plating, method for manufacturing same, and electrolytic copper plating method

WO2011086978 Art A1 21. Juli 2011

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011086978
Aktenzeichen: EP11732848
Anmeldetag: 7. Januar 2011
Veröffentlichung: 21. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C25D17/10B21B3/00C22C9/00C22F1/08C22F1/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsubishi Materials Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.978 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von