Manufacturing method of tunneling field effect transistor

WO2011088687 Art A1 28. Juli 2011

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011088687
Aktenzeichen: EP10843727
Anmeldetag: 25. September 2010
Veröffentlichung: 28. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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