Field effect transistor having hybrid junctions in source and drain regions and manufacturing method thereof
WO2011088735
Art A1
28. Juli 2011
Anmelder: Fudan University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011088735
- Aktenzeichen
- EP11734317
- Anmeldetag
- 4. Januar 2011
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fudan University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Fudan University
Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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