Pn junction and schottky junction hybrid diode and preparation method thereof

WO2011088736 Art A1 28. Juli 2011

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011088736
Aktenzeichen: EP11734318
Anmeldetag: 4. Januar 2011
Veröffentlichung: 28. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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