Semiconductor memory device and driving method thereof

WO2011089852 Art A1 28. Juli 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011089852
Aktenzeichen: EP10844016
Anmeldetag: 28. Dezember 2010
Veröffentlichung: 28. Juli 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105H01L21/8234H01L21/8242H01L21/8247H01L27/088H01L27/108H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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