N-type diffusion layer forming composition, method for manufacturing n-type diffusion layer, and method for manufacturing solar cell

WO2011090216 Art A1 28. Juli 2011

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2011090216
Aktenzeichen
EP11734822
Anmeldetag
25. Januar 2011
Veröffentlichung
28. Juli 2011
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/225C03C8/16H01L31/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

2.257 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen