N-type diffusion layer forming composition, method for manufacturing n-type diffusion layer, and method for manufacturing solar cell
WO2011090216
Art A1
28. Juli 2011
Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011090216
- Aktenzeichen
- EP11734822
- Anmeldetag
- 25. Januar 2011
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/225C03C8/16H01L31/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Chemical Company, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi Chemical
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.
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Vertreten von
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