Charge capturing non-volatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

WO2011091707 Art A1 4. August 2011

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011091707
Aktenzeichen: EP11736589
Anmeldetag: 4. Januar 2011
Veröffentlichung: 4. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L29/792H01L21/8247H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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