Ferro-resistive random access memory (ferro-rram), operation method and manufacturing mehtod thereof

WO2011091709 Art A1 4. August 2011

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011091709
Aktenzeichen: EP11736591
Anmeldetag: 12. Januar 2011
Veröffentlichung: 4. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00H01L21/8247G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

581 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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