Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats
WO2011092893
Art A1
4. August 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011092893
- Aktenzeichen
- EP10844650
- Anmeldetag
- 28. September 2010
- Veröffentlichung
- 4. August 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02C30B29/36H01L21/336H01L29/12H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
Höffe, Moritz
München, Deutschland
13
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Fachgebiete
6
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