Magnetoresistive effect element, magnetic memory cell using same, and random access memory
WO2011093252
Art A1
4. August 2011
Anmelder: Hitachi, Ltd., Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011093252
- Aktenzeichen
- EP11736965
- Anmeldetag
- 25. Januar 2011
- Veröffentlichung
- 4. August 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8246H01F10/16H01F10/30H01L27/105H01L29/82H01L43/08H01L43/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi, Ltd.
Tohoku University - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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