Method for producing nitride compound semiconductor substrate, and nitride compound semiconductor free-standing substrate

WO2011093481 Art A1 4. August 2011

Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011093481
Aktenzeichen: EP11737190
Anmeldetag: 31. Januar 2011
Veröffentlichung: 4. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/34H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JX Nippon Mining & Metals Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JX Nippon Mining & Metals

JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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