Series diode electro-thermal circuit for ultra sensitive silicon sensor

WO2011094206 Art A1 4. August 2011

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011094206
Aktenzeichen: EP11737512
Anmeldetag: 25. Januar 2011
Veröffentlichung: 4. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G01J5/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Northrop Grumman Systems Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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