Semiconductor device, and manufacturing method for same

WO2011096387 Art A1 11. August 2011

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011096387
Aktenzeichen: EP11739735
Anmeldetag: 1. Februar 2011
Veröffentlichung: 11. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/20H01L21/336H01L21/8238H01L27/08H01L27/092

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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