Memory Resistor Having Multi-Layer Electrodes

WO2011096940 Art A1 11. August 2011

Anmelder: Hewlett Packard Development Company, L.P. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011096940
Aktenzeichen: EP10845385
Anmeldetag: 8. Februar 2010
Veröffentlichung: 11. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247H01L27/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hewlett Packard Development Company, L.P.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Hewlett-Packard

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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