Non-volatile memory cell containing nanodots and method of making thereof

WO2011097389 Art A1 11. August 2011

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011097389
Aktenzeichen: EP11703111
Anmeldetag: 3. Februar 2011
Veröffentlichung: 11. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00G11C13/02G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

308 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von