Sram Read-Write Memory Cell Having Ten Transistors
WO2011098743
Art A1
18. August 2011
Anmelder: STMicroelectronics SA, STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011098743
- Aktenzeichen
- EP11712900
- Anmeldetag
- 14. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 18. August 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/412G11C11/413
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics SA
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Fachgebiete
Vertreten von
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