DMOS Transistor Having an Increased Breakdown Voltage and Method for Production
WO2011098866
Art A1
18. August 2011
Anmelder: X-FAB Semiconductor Foundries AG, Texas Instruments Incorporated 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011098866
- Aktenzeichen
- EP10845637
- Anmeldetag
- 15. Februar 2010
- Veröffentlichung
- 18. August 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- X-FAB Semiconductor Foundries AG
Texas Instruments Incorporated - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Kanzlei
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München, Deutschland
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