Field Effect Transistor

WO2011099342 Art A1 18. August 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011099342
Aktenzeichen: EP11742091
Anmeldetag: 14. Januar 2011
Veröffentlichung: 18. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L21/338H01L21/8234H01L27/088H01L29/423H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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