Method of producing silicon carbide single crystal

WO2011101727 Art A1 25. August 2011

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2011101727
Aktenzeichen
EP11711389
Anmeldetag
17. Februar 2011
Veröffentlichung
25. August 2011
Rechtsraum
WO
IPC
C30B9/00C30B29/36
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.464 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen