Semiconductor integrated circuit device
WO2011101981
Art A1
25. August 2011
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011101981
- Aktenzeichen
- EP10846118
- Anmeldetag
- 19. Februar 2010
- Veröffentlichung
- 25. August 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03L1/02H03L7/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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