Method for formation of electrode on n-type semiconductor layer

WO2011102064 Art A1 25. August 2011

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011102064
Aktenzeichen: EP10846195
Anmeldetag: 28. Dezember 2010
Veröffentlichung: 25. August 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28G03F7/004G03F7/038G03F7/26H01L21/027H01L21/3205H01L33/40H01S5/042

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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