Light-emitting element having nitride semiconductor multiquantum barrier, and process for production thereof

WO2011104969 Art A1 1. September 2011

Anmelder: Riken 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011104969
Aktenzeichen: EP10846632
Anmeldetag: 25. November 2010
Veröffentlichung: 1. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Riken
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 RIKEN

Japanische staatliche Forschungseinrichtung mit Sitz in Wako bei Tokio, aktiv in Physik, Chemie, Biologie und Ingenieurwissenschaften mit zahlreichen Forschungszentren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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