System. method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas

WO2011106129 Art A1 1. September 2011

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011106129
Aktenzeichen: EP11747839
Anmeldetag: 28. Januar 2011
Veröffentlichung: 1. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H05F3/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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