Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

WO2011106609 Art A2 1. September 2011

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011106609
Aktenzeichen: EP11748122
Anmeldetag: 25. Februar 2011
Veröffentlichung: 1. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/16H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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