Data-path cell on an seoi substrate with a back control gate beneath the insulating layer

WO2011107356 Art A1 9. September 2011

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011107356
Aktenzeichen: EP11703908
Anmeldetag: 18. Februar 2011
Veröffentlichung: 9. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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