Method for manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, and active matrix substrate

WO2011108199 Art A1 9. September 2011

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011108199
Aktenzeichen: EP11750313
Anmeldetag: 14. Februar 2011
Veröffentlichung: 9. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G02F1/1368H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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