Inter-low-permittivity layer insulating film, and method for forming inter-low-permittivity layer insulating film

WO2011108456 Art A1 9. September 2011

Anmelder: Taiyo Nippon Sanso Corporation, TRI Chemical Laboratories Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011108456
Aktenzeichen: EP11750566
Anmeldetag: 25. Februar 2011
Veröffentlichung: 9. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/314C23C16/42C23C16/509H01L21/205H01L21/768H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Taiyo Nippon Sanso Corporation
TRI Chemical Laboratories Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Taiyo Nippon Sanso

Taiyo Nippon Sanso ist ein japanischer Hersteller von Industriegasen und zugehörigen Anlagen, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Der Patentbestand konzentriert sich auf Verfahrens- und Trenntechnik sowie Wärme-, Fertigungs- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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