Crystal growing apparatus, method for manufacturing nitride compound semiconductor crystal, and nitride compound semiconductor crystal
WO2011108640
Art A1
9. September 2011
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011108640
- Aktenzeichen
- EP11750749
- Anmeldetag
- 3. März 2011
- Veröffentlichung
- 9. September 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B25/14C23C16/34C23C16/455C30B29/38H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
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