Processed high-purity copper material having uniform and fine crystalline structure, and process for production thereof

WO2011108694 Art A1 9. September 2011

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011108694
Aktenzeichen: EP11750803
Anmeldetag: 4. März 2011
Veröffentlichung: 9. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C22F1/08B21B3/00B22D21/00C23C14/34C22F1/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsubishi Materials Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.978 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von