Embedded gate type silicon carbide static induction transistor and method for manufacturing same

WO2011108768 Art A1 9. September 2011

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011108768
Aktenzeichen: EP11750864
Anmeldetag: 4. März 2011
Veröffentlichung: 9. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/80H01L21/337H01L29/00H01L29/808

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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