A semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

WO2011110796 Art A1 15. September 2011

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Research Europe Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011110796
Aktenzeichen: EP10787869
Anmeldetag: 30. November 2010
Veröffentlichung: 15. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G02B6/13H01S5/34H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Research Europe Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen