Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011111507
Art A1
15. September 2011
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011111507
- Aktenzeichen
- EP11753169
- Anmeldetag
- 15. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 15. September 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786G11C11/401H01L21/336H01L21/768H01L21/8242H01L21/8247H01L27/10H01L27/108H01L27/115H01L29/788H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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