Large-area, free-standing metal oxide films and transistors made therefrom

WO2011112295 Art A2 15. September 2011

Anmelder: Wisconsin Alumni Research Foundation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011112295
Aktenzeichen: EP11753751
Anmeldetag: 1. Februar 2011
Veröffentlichung: 15. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/04H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Wisconsin Alumni Research Foundation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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