Methods of forming an array of memory cells, methods of forming a plurality of field effect transistors, methods of forming source/drain regions and isolation trenches, and methods of forming a series of spaced trenches into a substrate

WO2011112303 Art A2 15. September 2011

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011112303
Aktenzeichen: EP11753757
Anmeldetag: 10. Februar 2011
Veröffentlichung: 15. September 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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