Methods for forming low moisture dielectric films
WO2011112518
Art A2
15. September 2011
Anmelder: Applied Materials, Inc., Sapre, Kedar 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011112518
- Aktenzeichen
- EP11753878
- Anmeldetag
- 7. März 2011
- Veröffentlichung
- 15. September 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Applied Materials, Inc.
Sapre, Kedar - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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